Àwọn gáàsì ìwẹ̀nùmọ́ gíga (UHP) ni ìpìlẹ̀ ayé ilé iṣẹ́ semiconductor. Bí ìbéèrè àti ìdènà tí kò tíì ṣẹlẹ̀ rí sí àwọn ẹ̀wọ̀n ìpèsè kárí ayé ṣe ń mú kí owó gáàsì ìfúnpá gíga gaasi pọ̀ sí i, àwọn ìlànà tuntun fún semiconductor àti iṣẹ́ ìṣelọ́pọ́ ń mú kí ìpele ìṣàkóso ìbàjẹ́ pọ̀ sí i. Fún àwọn olùṣe semiconductor, láti rí i dájú pé gáàsì UHP mọ́ ṣe pàtàkì ju ti ìgbàkígbà rí lọ.

Àwọn Gáàsì Tó Gíga Jùlọ (UHP) Ṣe Pàtàkì Pàtàkì Nínú Ṣíṣe Àwọn Amúṣẹ́dá Semiconductor Òde Òní

Ọ̀kan lára ​​àwọn ohun pàtàkì tí a ń lò fún gaasi UHP ni inertization: a ń lo gaasi UHP láti pèsè afẹ́fẹ́ ààbò ní àyíká àwọn ohun èlò semiconductor, nípa bẹ́ẹ̀ a ń dáàbò bò wọ́n kúrò lọ́wọ́ àwọn ipa búburú ti ọrinrin, atẹ́gùn àti àwọn ohun ìbàjẹ́ mìíràn nínú afẹ́fẹ́. Síbẹ̀síbẹ̀, inertization jẹ́ ọ̀kan lára ​​àwọn iṣẹ́ onírúurú tí àwọn gaasi ń ṣe nínú iṣẹ́ semiconductor. Láti àwọn gaasi plasma àkọ́kọ́ sí àwọn gaasi reactive tí a ń lò nínú ìfọ́ àti ìfọ́, àwọn gaasi titẹ líle-gíga ni a ń lò fún ọ̀pọ̀lọpọ̀ ète àti pé wọ́n ṣe pàtàkì jákèjádò ẹ̀wọ̀n ìpèsè semiconductor.

Díẹ̀ lára ​​àwọn gáàsì “mojuto” nínú iṣẹ́ semikondokito ninitrogen(a lo bi ohun elo mimọ gbogbogbo ati gaasi ti ko ṣiṣẹ),argọn(a lo bi gaasi pilasima akọkọ ninu dida ati awọn iṣeduro),hílíọ́mù(tí a lò gẹ́gẹ́ bí gaasi aláìṣiṣẹ́ pẹ̀lú àwọn ohun-ìní pàtàkì fún gbigbe ooru) àtihaidrojiin(ó kó ipa pupọ ninu annealing, deposition, epitaxy ati plasma cleaning).

Bí ìmọ̀ ẹ̀rọ semiconductor ṣe ń yípadà tí ó sì ń yípadà, bẹ́ẹ̀ náà ni àwọn gaasi tí a ń lò nínú iṣẹ́ ìṣelọ́pọ́ ṣe ń yípadà. Lónìí, àwọn ilé iṣẹ́ ìṣelọ́pọ́ semiconductor ń lo onírúurú gaasi, láti inú àwọn gaasi olókìkí bíikryptonàtineonsí àwọn ẹ̀yà tí ó ń ṣe àtúnṣe bíi nitrogen trifluoride (NF3) àti tungsten hexafluoride (WF 6).

Ìbéèrè tó ń pọ̀ sí i fún mímọ́

Láti ìgbà tí wọ́n ti ṣe àwárí microchip ìṣòwò àkọ́kọ́, ayé ti rí ìbísí tó yanilẹ́nu nínú iṣẹ́ àwọn ẹ̀rọ semiconductor. Láàárín ọdún márùn-ún tó kọjá, ọ̀kan lára ​​​​àwọn ọ̀nà tó dájú jùlọ láti ṣe àṣeyọrí irú ìdàgbàsókè iṣẹ́ yìí ni nípasẹ̀ “ìwọ̀n ìwọ̀n”: dín àwọn ìwọ̀n pàtàkì ti àwọn àgbékalẹ̀ ërún tó wà tẹ́lẹ̀ kù láti lè fún àwọn transistor púpọ̀ sí i sínú ààyè kan. Ní àfikún sí èyí, ìdàgbàsókè àwọn àgbékalẹ̀ ërún tuntun àti lílo àwọn ohun èlò tó ti pẹ́ ti mú kí iṣẹ́ ẹ̀rọ pọ̀ sí i.

Lónìí, àwọn ìwọ̀n pàtàkì ti àwọn semiconductors òde òní kéré gan-an débi pé ìwọ̀n ìtóbi kò jẹ́ ọ̀nà tó dára láti mú iṣẹ́ ẹ̀rọ sunwọ̀n sí i mọ́. Dípò bẹ́ẹ̀, àwọn olùwádìí semiconductors ń wá àwọn ojútùú ní ìrísí àwọn ohun èlò tuntun àti àwọn àgbékalẹ̀ 3D chip.

Ọ̀pọ̀ ọdún tí a ti ń ṣe àtúnṣe láìsí àárẹ̀ túmọ̀ sí pé àwọn ẹ̀rọ semiconductor òde òní lágbára ju àwọn microchips àtijọ́ lọ — ṣùgbọ́n wọ́n tún jẹ́ aláìlera jù. Dídé ìmọ̀ ẹ̀rọ ṣíṣe wafer 300mm ti mú kí ìpele ìṣàkóso àìmọ́ tí a nílò fún ṣíṣe semiconductor pọ̀ sí i. Kódà ìbàjẹ́ díẹ̀ nínú ìlànà ìṣelọ́pọ́ (pàápàá jùlọ àwọn gáàsì tí kò wọ́pọ̀ tàbí tí kò wọ́pọ̀) lè fa ìkùnà ohun èlò tí ó burú jáì – nítorí náà, mímọ́ gaasi ti ṣe pàtàkì ju ti ìgbàkígbà rí lọ.

Fún ilé iṣẹ́ ìṣẹ̀dá semiconductor tí a sábà máa ń lò, gaasi onípele gíga ni ó ti jẹ́ iye owó tí ó pọ̀ jùlọ lẹ́yìn silicon fúnra rẹ̀. Àwọn owó wọ̀nyí ni a retí pé yóò pọ̀ sí i bí ìbéèrè fún semiconductor ṣe ń ga sí i. Àwọn ìṣẹ̀lẹ̀ ní Yúróòpù ti fa ìdàrúdàpọ̀ sí ọjà gaasi àdánidá tí ó ní ìtẹ̀sí gíga gidigidi. Ukraine jẹ́ ọ̀kan lára ​​àwọn tí ń ta gaasi onípele gíga jùlọ ní àgbáyé.neonàwọn àmì; ìgbógun ti Rọ́síà túmọ̀ sí wípé àwọn ohun èlò tí ó ń mú kí epo gaasi ṣọ̀wọ́n náà di èyí tí a dínkù. Èyí sì yọrí sí àìtó àti owó gíga fún àwọn gaasi olókìkí mìíràn bíikryptonàtixenon.