Àwọn gáàsì pàtàkìyatọ si gbogbogboàwọn gáàsì ilé-iṣẹ́ní ti pé wọ́n ní àwọn lílò pàtàkì àti pé wọ́n ń lò wọ́n ní àwọn ẹ̀ka pàtó kan. Wọ́n ní àwọn ohun pàtàkì fún ìwẹ̀nùmọ́, àkójọpọ̀ àìmọ́, ìṣẹ̀dá, àti àwọn ohun ìní ti ara àti kẹ́míkà. Ní ìfiwéra pẹ̀lú àwọn gáàsì ilé-iṣẹ́, àwọn gáàsì pàtàkì yàtọ̀ síra ní onírúurú ṣùgbọ́n wọ́n ní ìwọ̀n ìṣelọ́pọ́ àti títà díẹ̀.

Àwọnàwọn gáàsì àdàpọ̀àtiawọn gaasi iwọntunwọnsi boṣewaÀwọn gáàsì àdàpọ̀ ni a sábà máa ń lò fún àwọn gáàsì pàtàkì. A sábà máa ń pín àwọn gáàsì àdàpọ̀ sí àwọn gáàsì àdàpọ̀ gbogbogbòò àti àwọn gáàsì àdàpọ̀ elekitironiki.

Àwọn gáàsì àdàpọ̀ gbogbogbò ni:gaasi adalu lesa, wiwa ohun elo gaasi adalu, alurinmorin gaasi adalu, itoju gaasi adalu, orisun ina ina adalu gaasi, iwadii iṣoogun ati ti ara gaasi adalu, disinfection ati sterilization adalu gaasi, ohun elo itaniji adalu gaasi, gaasi adalu titẹ giga, ati afẹfẹ odo-ite.

Àwọn àdàpọ̀ gaasi elekitironiki ní àwọn àdàpọ̀ gaasi epitaxial, àwọn àdàpọ̀ gaasi kemika, àwọn àdàpọ̀ gaasi doping, àwọn àdàpọ̀ gaasi etching, àti àwọn àdàpọ̀ gaasi elekitironiki mìíràn. Àwọn àdàpọ̀ gaasi wọ̀nyí kó ipa pàtàkì nínú àwọn ilé iṣẹ́ semiconductor àti microelectronics, wọ́n sì ń lò wọ́n ní ibi iṣẹ́ ńlá-ìwọ̀n integrated circuit (LSI) àti very large-scale integrated circuit (VLSI), àti nínú iṣẹ́ ẹ̀rọ semiconductor.

Awọn oriṣi awọn gaasi adalu itanna marun ni a lo julọ

Dídá gáàsì àdàpọ̀

Nínú ṣíṣe àwọn ẹ̀rọ semikondokito àti àwọn iyika tí a ti so pọ̀, àwọn ohun àìmọ́ kan wà nínú àwọn ohun èlò semikondokito láti fún àwọn conductivity àti resistance tí a fẹ́, èyí tí ó ń jẹ́ kí a ṣe àwọn resistors, àwọn PN junctions, àwọn ìpele tí a bò mọ́lẹ̀, àti àwọn ohun èlò mìíràn. Àwọn gaasi tí a lò nínú ìlànà doping ni a ń pè ní àwọn gaasi dopant. Àwọn gaasi wọ̀nyí ní pàtàkì nínú arsine, phosphine, phosphorus trifluoride, phosphorus pentafluoride, arsenic trifluoride, arsenic pentafluoride,boron trifluoride, àti diborane. Orísun dopant náà sábà máa ń dàpọ̀ mọ́ gaasi onígbèsè (bíi argon àti nitrogen) nínú àpótí orísun kan. Lẹ́yìn náà, a máa ń fi gaasi onígbèsè náà sínú iná ìléru tí ó ń tàn káàkiri, a sì máa ń yípo wafer náà, a sì máa ń fi dopant náà sí orí ilẹ̀ wafer náà. Lẹ́yìn náà, dopant náà máa ń ṣe àtúnṣe pẹ̀lú silikoni láti ṣẹ̀dá irin dopant kan tí ó máa ń yípadà sínú silikoni náà.

Adalu gaasi idagbasoke epitaxial

Ìdàgbàsókè Epitaxial jẹ́ ìlànà fífi ohun èlò kristali kan sílẹ̀ àti gbígbin sórí ojú ilẹ̀ substrate kan. Nínú ilé iṣẹ́ semiconductor, àwọn gaasi tí a lò láti gbin ọ̀kan tàbí jù bẹ́ẹ̀ lọ ti ohun èlò nípa lílo kemikali vapor deposition (CVD) lórí substrate tí a yàn dáradára ni a ń pè ní epitaxial gases. Àwọn gaasi epitaxial silicon tí a sábà máa ń lò ni dihydrogen dichlorosilane, silicon tetrachloride, àti silane. Wọ́n jẹ́ pàtàkì fún epitaxial silicon deposition, polycrystalline silicon deposition, silicon oxide film deposition, silicon nitride film deposition, àti amorphous silicon film deposition fún àwọn sẹ́ẹ̀lì oorun àti àwọn ẹ̀rọ photosensitive mìíràn.

Gáàsì ìfàsímọ́ ion

Nínú ẹ̀rọ semikondokito àti iṣẹ́ ẹ̀rọ amúṣẹ́dápọ̀, àwọn gáàsì tí a lò nínú ìlànà ìfúnpọ̀ ion ni a ń pè ní àwọn gáàsì ìfúnpọ̀ ion. Àwọn ohun tí a ti fi ion ṣe (bíi boron, phosphorus, àti arsenic ions) ni a máa ń yára sí agbára gíga kí a tó fi sínú substrate. Ìmọ̀-ẹ̀rọ ìfúnpọ̀ ion ni a lò jùlọ láti ṣàkóso folti ẹnu ọ̀nà. A lè pinnu iye àwọn ohun tí a fi sínú nípa wíwọ̀n ìṣàn ion beam current. Àwọn gáàsì ìfúnpọ̀ ion sábà máa ń ní àwọn gáàsì phosphorus, arsenic, àti boron.

Gáàsì àdàpọ̀ tí ń tàn kiri

Ìfọ́ ni ilana yíyọ ojú tí a ti ṣe iṣẹ́ náà kúrò (bíi fíìmù irin, fíìmù silicon oxide, àti bẹ́ẹ̀ bẹ́ẹ̀ lọ) lórí ilẹ̀ tí a kò fi bò mọ́lẹ̀ nípa photoresist, nígbàtí a bá ń pa agbègbè tí photoresist bo mọ́lẹ̀, kí a baà lè rí àwòrán tí a nílò lórí ilẹ̀ náà.

Adalu Gaasi Iyọkuro Afẹ́fẹ́ Kẹ́míkà

Ìdásílẹ̀ ìgbóná kẹ́míkà (CVD) máa ń lo àwọn èròjà oníyípadà láti fi ohun kan tàbí èròjà kan sílẹ̀ nípasẹ̀ ìhùwàsí kẹ́míkà onípele-àfẹsẹ̀gbá. Ọ̀nà ìṣẹ̀dá fíìmù ni èyí tí ó ń lo ìhùwàsí kẹ́míkà onípele-àfẹsẹ̀gbá. Àwọn gáàsì CVD tí a lò yàtọ̀ síra ní ìbámu pẹ̀lú irú fíìmù tí a ń ṣe.